Los transistores se encuentran en casi todos los dispositivos electrónicos de hoy en día. La empresa IBM desarrolla un transistor 100 veces más rápido que los actuales, y que podrá usarse en dispositivos móviles y en computadoras. Según el diario El País de Madrid, "IBM ha logrado alcanzar velocidades record con este componente usando germanio junto al silicio con el que se fabrica habitualmente". Con este paso, la compañía busca exprimir al máximo las potencialidades del silicio. Al respecto, Bernie Meyerson, director de la investigación sobre semiconductores en IBM agregó: "Lo que hemos hecho en los últimos años es llevar la tecnología del silicio hasta sus límites".Los orígenes del transistor, según Wikipedia, datan de diciembre de 1947, cuando en los Laboratorios Bell de Estados Unidos, John Bardeen, Walter Houser Brattain, y William Bradford Shockley, desarrollaron el transistor bipolar. Este reemplazaría a la válvula termoiónica de tres electrodos, conocida con el nombre de tríodo, por tener en su interior tres componentes: filamento, grilla, y placa.El transistor de IBM alcanzó una velocidad de 500 Gigahertz, en condiciones de laboratorio. El País informó que los resultados se concretaron "cuando la temperatura del transistor se situó en el cero absoluto", mientras que a temperatura ambiente alcanzaba los 300 Gigahertz. Lo interesante de este componente, además de su velocidad, está dado por el germanio, que se utilizó en los transistores que salieron al mercado entre 1940 y 1970 aproximadamente. Al respecto, Wikipedia dice: "Es un metaloide sólido duro, cristalino, de color blanco grisáceo lustroso, deleznable, que conserva el brillo a temperaturas ordinarias. Presenta la misma estructura cristalina que el diamante y resiste a los ácidos y álcalis".